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[스크랩] 역대 최대 실적 쓴 SK하이닉스, HBM·eSSD 등 차세대 'AI 메모리' 집중 (250124)

경신스(경제신문스크랩) 순서
  1. 헤드라인에 제목과 요약을 써주세요
  2. 다시 확인하기 위해 복사한 신문 링크를 붙여넣어주세요.
  3. 복사한 신문기사를 내용에 붙여주세요
  4. 신문기사를 보며 수치화에 해당하는 부분은 빨간색인사이트나 적용점을 트렌드 발견했다면 파란색으로 색을 입혀주세요.
  5. 4) 하면서 추가 조사할 내용들에 대해 요약을 한 후 조사를 진행해보세요!
    (이 때, 경쟁사는 어떤 전략/사업을 취하고 있는지 함께 조사한다면 더욱 깊어진 신문스크랩이 될 거에요!)
  6. 5)까지의 내용을 토대로 현직자에게 인터뷰를 할 때를 대비해 궁금한 점을 질문 리스트로 뽑아보세요.
    여기까지 끝난다면 참고한 기사 링크도 첨부해주세요!
  7. 마지막으로 경제 신문스크랩 스터디를 위해 요약과 자신의 의견을 작성해주세요 (이를 통해 PT 면접을 대비할 수 있어요!)

출처 : 경신스 - https://alivecommunity.notion.site/f4ca50e759e3483e9f545cf58564b599

 

1. 헤드라인 (요약과 압축 ,신문 링크)

https://n.news.naver.com/mnews/article/092/0002361002?sid=105

 

역대 최대 실적 쓴 SK하이닉스, HBM·eSSD 등 차세대 'AI 메모리' 집중

메모리 반도체 시장이 올해에도 AI 데이터센터 산업을 중심으로 성장할 것으로 전망된다. 이에 따라 SK하이닉스는 레거시 D램 및 낸드의 출하 비중을 줄이고, HBM(고대역폭메모리)·eSSD(기업용 SSD)

n.news.naver.com

역대 최대 실적 쓴 SK하이닉스, HBM·eSSD 등 차세대 'AI 메모리' 집중

[요약]
SK하이닉스는 AI 데이터센터 산업의 성장에 맞춰 HBM 및 eSSD 등 고부가 메모리 사업을 확대하고, 레거시 D램 및 낸드의 출하 비중을 줄일 계획이다.

(1) AI 메모리 전환에 집중: 레거시 메모리(D램, 낸드) 대신 수익성이 확실한 AI 메모리 생산에 집중.
(2) 기술 안정성 확보: 10나노 1b 기술을 통해 AI 메모리의 양산성과 기술 안정성을 확보.
(3) 차세대 기술 투자: 10나노 1c 기술을 기반으로 한 설비 투자를 통해 생산 ramp-up.

2. 본문 (본문 내용 복사)

수치화, 인사이트 나누기 / 단순히 기사를 읽는 것이 아닌,희망직무와 관련된 사업의 방향성 / 전략을 어떻게 세워야 할지 생각하기
+ 추가 조사 포인트를 위한 키워드 잡기

[본문]

메모리 반도체 시장이 올해에도 AI 데이터센터 산업을 중심으로 성장할 것으로 전망된다. 이에 따라 SK하이닉스는 레거시 D램 및 낸드의 출하 비중을 줄이고, HBM(고대역폭메모리)·eSSD(기업용 SSD) 등 고부가 메모리 사업 확대에 집중할 계획이다.

SK하이닉스가 23일 실적발표를 통해 지난해 연간 매출액 66조1천930억원, 영업이익 23조4천673억원을 기록했다고 밝혔다.

SK하이닉스가 2023년 8월 공개한 HBM3E 제품(사진=SK하이닉스)
이번 매출과 영업이익은 SK하이닉스 역대 최대 실적에 해당한다. 기존 매출 최고치는 2022년 44조6천216억원, 영업이익 최고치는 20조8천437억원이었다.

특히 지난해 4분기 매출은 전분기 대비 12% 증가한 19조7천670억원, 영업이익은 15% 증가한 8조828억원에 달했다. 이 역시 분기 최대 실적이다.

호실적의 주요 배경은 AI용 고부가 메모리 산업의 확대다. SK하이닉스는 "4분기 높은 성장률을 보인 HBM은 전체 D램 매출의 40% 이상을 차지했고, eSSD도 판매를 지속 확대했다”며 “차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영으로 안정적인 재무 상황을 구축했고, 이를 기반으로 실적 개선세가 이어졌다”고 말했다.
 
@레거시 D램·낸드 수요 부진에…감산 기조 지속

다만 올해에도 AI 데이터센터를 제외한 IT 시장 전반의 수요는 부진할 것으로 예상된다. SK하이닉스는 올 1분기 메모리 생산이 D램의 경우 전분기 대비 10% 초반, 낸드는 10% 후반대로 감소할 것으로 내다봤다.

특히 범용 및 레거시 낸드는 감산 기조가 더욱 뚜렷하게 나타날 전망이다.

SK하이닉스는 "지난해 eSSD를 제외한 제품은 일반 응용처 수요 회복 지연으로 제한적 생산을 유지해 왔다"며 "앞으로도 낸드는 수요 개선이 확인될 때까지 현재와 같은 운영 기조를 유지하고, 시장에 맞춰 탄력적 운영 및 재고 정상화에 집중할 것"이라고 설명했다.

지난해 하반기부터 중국 후발주자들의 진입이 활발한 DDR4, LPDDR4 등 레거시 D램도 판매 비중을 줄인다. SK하이닉스는 해당 레거시 메모리의 매출 비중은 지난해 20% 수준이었으나, 올해에는 한 자릿수 수준으로 크게 낮출 예정이다.


@올해도 HBM  AI 메모리 전환 집중

이에 따라 SK하이닉스는 HBM3E 공급 확대와 HBM4의 적기 개발 공급, DDR5·LPDDR5 중심의 선단 공정 전환 등에 주력한다.

올해 SK하이닉스의 HBM 매출은 전년 대비 100% 성장할 것으로 예상되며, 특히 12단 제품이 올 상반기 HBM3E 출하량의 절반 이상을 차지할 것으로 전망된다.

내년 주력 제품이 될 HBM4는 올 하반기 12단 제품의 개발 및 양산 준비를 마무리할 계획이다. SK하이닉스는 HBM4에 기술 안정성, 양산성이 입증된 1b(5세대 10나노급) D램을 적용하기로 했다. 나아가 16단 제품도 내년 하반기 양산할 것으로 예상된다.

최선단 D램인 1c(6세대 10나노급) D램의 상용화도 계획 중이다. SK하이닉스의 1c D램은 이전 세대 대비 성능은 28%, 전력효율성은 9% 개선된 것이 특징으로, 향후 AI 서버 시장에서 수요가 증가할 것으로 보인다.

SK하이닉스는 "지난해 하반기 개발 완료 및 양산성을 확보한 1c D램은 이미 초기 양산 목표 수율을 상회하고 있다"며 "올 하반기부터 일반 D램에 적용해 양산할 예정이나, 올해 투자가 HBM과 인프라에 집중된 만큼 향후 수요와 공급 상황을 고려해 램프업(ramp-up)을 위한 투자를 계획할 것"이라고 설명했다.


@설비투자, 수익성 확실한 분야에만 초점

SK하이닉스는 올해 전체 설비투자 규모를 전년 대비 소폭 증가시키기로 했다. 지난해 투자 규모는 10조원 중후반대로 추산된다.

올해 투자는 HBM 생산능력 확대, 청주에 건설 중인 M15X, 용인 팹 등에 초점을 맞추고 있다.

M15X는 향후 SK하이닉스의 최선단 D램의 주력 생산기지가 될 전망으로, 올해 4분기 문을 열 예정이다. 2027년 2분기 오픈을 목표로 한 용인 클러스터 1기 팹도 올해부터 공사가 시작된다.

SK하이닉스는 "회사의 투자는 수익성이 확보된 제품에 우선적으로 투자를 집행하고, 시황에 기민하고 유연하게 조절한다는 원칙"이라며 "전체 투자 중 대부분이 HBM과 인프라 투자에 집중될 것"이라고 밝혔다.
 
3. 본문의 근거 (객관적인 수치)

SK하이닉스는 AI 데이터센터 산업의 성장에 맞춰 HBM 및 eSSD 등 고부가 메모리 사업을 확대하고, 레거시 D램 및 낸드의 출하 비중을 줄일 계획이다.

SK 하이닉스 : 차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성 중심 경영
2024년 4분기 매출 HBM은 전체 D램 매출의 40%

(1) AI 메모리 전환에 집중: 레거시 메모리(D램, 낸드) 대신 수익성이 확실한 AI 메모리 생산에 집중.
      AI 데이터 센터를 제외한 일반 소비자의 메모리 수요가 예상보다 부진한 실적으로 레거시 메모리 생산 비중을 줄임
      -> 메모리 생산 : D램의 경우 전분기 대비 10% 초반, 낸드는 10% 후반대로 감소
            판매 비중 : 레거시 D램도 지난해 20% 수준이었으나, 올해에는 한 자릿수 수준으로 크게 낮출 예정

(2) 기술 안정성 확보: 10나노 1b 기술을 통해 AI 메모리의 양산성과 기술 안정성을 확보.
[1] HBM3E 양산 : 12단, 2025년 하반기 시작, HBM3E 출하량의 절반 이상 차지할 것 
[2] HBM4 양산 : 12단, 2025년 하반기 12단 개발&양산 세팅, 1b(5세대 10나노급) D램 적용
                           (+) 16단 제품도 내년 하반기 양산 예상
[3] 10나노 6세대(1c) D램 : 이전 제품 대비 성능 28%, 전력효율성은 9% 개선
                           (+) 2024년 하반기 개발 완료, 2025년 상용화 계획
                                 올해 투자가 HBM과 인프라에 집중된 만큼 향후 수요와 공급 상황을 고려해 램프업(ramp-up)을 위한 투자를 계획

(3) 차세대 기술 투자: 10나노 1c 기술을 기반으로 한 설비 투자를 통해 생산 ramp-up.
2025년 설비투자 규모 : 전년 대비(10조원 중후반대) 소폭 증가로 추산
투자 대상: HBM 생산능력 확대 / M15X(청주, 최선단 D램, 2025년 4분기 오픈) / 용인 팹(2027년 2분기 오픈 목표, 2025년 공사 시작)


SK하이닉스
경영 : 차별화된 제품 경쟁력을 바탕으로 한 수익성에 집중
투자 : 수익성이 확보된 제품에 우선적으로 투자 집행, 시황에 기민하고 유연하게 조절한다는 원칙 -> HBM과 인프라 

4. 추가 조사할 내용 또는 결과 (기사의 근거를 통해 바뀐 수치는 무엇인가?)

위에서 잡은 추가조사 키워드 하나만을 조사해보세요

HBM3 vs HBM3E -> E의 의미 : Enhanced, 더 높은 대역폭으로 저전력, 빠른 속도로 개선된 HBM3를 나타냄
DDR5 vs LPDDR5 -> LP : Low Power, 저전력에서 동작하여 모바일, 테블릿에서 사용, LP가 붙지 않으면 기업용(서버용)

5. 적용할 점 (현직자 인터뷰 질문/자소서/면접/실무)

 

6. 나와의 연관성 (직무/산업/직장)

# 반도체 사이클 형성 과정 (출처 : https://brunch.co.kr/@juhnhyeonmun/207)
호황 -> 이익 증가 -> 기술 개발과 원가 절감을 위해 자본지출 증가 -> 경쟁사 동반 투자 증가 (안하면 치킨게임) -> 업계 전반적인 공급 증가 -> 공급 과잉 -> 반도체 가격 하가 & 반도체 불황(수요 감소) -> 이익 감소 -> 현금 여력 부족으로 자본지출 감소 -> 업계 전반적 공급 감소 -> 공급 부족 -> 반도체 가격 상승 & 반도체 호황 (수요 확대)

: 반도체 사이클을 크게 4단계로 분류할 때 [호황 -> 공급 과잉 -> 공급 부족 -> 호황], 현재는 공급 과잉 -> 공급 부족으로 가는 단계로 보인다.

7. 연관 기사 링크
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