경신스(경제신문스크랩) 순서
- 헤드라인에 제목과 요약을 써주세요
- 다시 확인하기 위해 복사한 신문 링크를 붙여넣어주세요.
- 복사한 신문기사를 내용에 붙여주세요
- 신문기사를 보며 수치화에 해당하는 부분은 빨간색, 인사이트나 적용점을 트렌드 발견했다면 파란색으로 색을 입혀주세요.
- 4) 하면서 추가 조사할 내용들에 대해 요약을 한 후 조사를 진행해보세요!
(이 때, 경쟁사는 어떤 전략/사업을 취하고 있는지 함께 조사한다면 더욱 깊어진 신문스크랩이 될 거에요!) - 5)까지의 내용을 토대로 현직자에게 인터뷰를 할 때를 대비해 궁금한 점을 질문 리스트로 뽑아보세요.
여기까지 끝난다면 참고한 기사 링크도 첨부해주세요! - 마지막으로 경제 신문스크랩 스터디를 위해 요약과 자신의 의견을 작성해주세요 (이를 통해 PT 면접을 대비할 수 있어요!)
출처 : 경신스 - https://alivecommunity.notion.site/f4ca50e759e3483e9f545cf58564b599
1. 헤드라인 (요약과 압축 ,신문 링크)
"中 CXMT D램 성능, 삼성·SK 못지않아"…K메모리 '초긴장'
요약 : 중국 D램 업체 CXMT가 저가 물량공세로 DDR4의 가격을 급락시켜 한국 메모리 반도체 시장에 큰 타격을 준 가운데 DDR5 16Gb D램을 16nm 공정으로 양산해 삼성전자와 SK 하이닉스와 비슷한 성능을 보여 우려를 일으키고 있다.
https://n.news.naver.com/mnews/article/015/0005087101
"中 CXMT D램 성능, 삼성·SK 못지않아"…K메모리 '초긴장'
삼성전자와 SK하이닉스가 중국 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 더블데이터레이트5(DDR5) 출시 동향에 촉각을 곤두세우기 시작한 건 지난해 하반기였다. 그 무렵 CXMT가 비밀리에 주요 고객
n.news.naver.com
2. 본문 (본문 내용 복사)
수치화, 인사이트 나누기 / 단순히 기사를 읽는 것이 아닌,희망직무와 관련된 사업의 방향성 / 전략을 어떻게 세워야 할지 생각하기
+ 추가 조사 포인트를 위한 키워드 잡기
삼성전자와 SK하이닉스가 중국 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 더블데이터레이트5(DDR5) 출시 동향에 촉각을 곤두세우기 시작한 건 지난해 하반기였다. 그 무렵 CXMT가 비밀리에 주요 고객사에 “DDR5 양산을 시작했다”고 전했다는 첩보를 입수했기 때문이다. 이번에 CXMT가 DDR5 D램을 10나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 3세대(1z) 기술로 양산한 게 확인되면서 우려는 현실이 됐다.
CXMT의 ‘저가 물량공세’ 리스트에 DDR4에 이어 DDR5까지 들어가면 안 그래도 적자를 보는 국내 기업들의 범용 D램 수익성이 한층 더 떨어질 것으로 예상된다.
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26일 반도체 전문 시장조사업체 테크인사이츠에 따르면 CXMT의 1z DDR5 16기가비트(Gb) D램은 삼성전자와 SK하이닉스의 동일 사양 제품 못지않은 성능을 내는 것으로 조사됐다. 한국 메모리 기업은 2021년부터 16Gb DDR5 D램을 본격 양산하기 시작했다.
CXMT는 DDR5 16Gb D램을 16㎚ 공정을 활용해 생산한 것으로 파악됐다. 한국 기업의 10나노대 3세대 1z D램(15.8~16.2㎚)과 비슷하다. 성능의 핵심 척도인 비트밀도(단위 면적당 저장 단위)는 0.239Gb/㎟로, 동일 규격의 삼성전자 제품(0.217Gb/㎟)과 SK하이닉스 제품(0.213Gb/㎟)보다 높다. 테크인사이츠는 “CXMT는 16㎚ 공정을 통해 정보를 저장하는 셀 면적을 18㎚ 공정 대비 20% 줄였다”고 분석했다.
반도체업계에선 지난달 중국 유통시장에 중국산(産) DDR5 D램이 등장했을 때만 해도 반신반의했다. 미국이 2023년 10월부터 중국의 18㎚ 이하 D램 개발·양산을 저지하기 위해 기술·장비 수출 규제를 시작했기 때문이다. CXMT가 미국 규제를 뚫고 16㎚DDR5 D램 양산에 성공하자 국내 업계는 충격을 받은 것으로 전해졌다. 삼성전자는 해당 제품의 정밀 분석에 들어간 것으로 알려졌다.
CXMT가 16㎚ DDR5 양산에 성공하면서 14~15㎚ 수준으로 알려진 ‘10㎚ 4세대(1a)’ D램 개발에도 속도를 낼 것이란 전망이 나온다. 테크인사이츠는 “CXMT는 15㎚ 이하 D램 개발에도 적극 나서고 있다”고 설명했다.
국내 반도체업계는 CXMT가 DDR4에 이어 DDR5 시장에서도 ‘저가 물량 공세’를 펼칠 것으로 우려한다. CXMT는 지난해 하반기부터 DDR4를 30% 싸게 시장에 풀었다. 이로 인해 지난해 7월 개당 2.1달러이던 PC용 DDR4 D램 고정거래 가격은 12월 1.35달러로 35.7% 급락했다. 한국 기업의 재고는 쌓였고 수익성은 나빠졌다.
DDR5 시장에서도 중국의 저가 공세가 시작되면 한국 기업의 타격이 불가피할 것으로 분석된다. 지난해 글로벌 D램 시장에서 DDR5 출하량(비트 단위 환산)은 87엑사비트(Eb)로 DDR4(62 Eb)를 추월했다. 테크인사이츠는 “CXMT가 DDR5 점유율 확대에 나설 것”이라고 내다봤다.
과도한 우려라는 분석도 있다. 김우현 SK하이닉스 최고재무책임자(CFO·부사장)는 지난 23일 실적설명회에서 “중국 기업의 DDR5 제품 품질과 성능은 (SK하이닉스 제품과) 확실한 차이가 있을 것”이라고 했다. 기술 격차를 감안하면 CXMT의 DDR5 시장 진출에 충분히 대응할 수 있다는 얘기다.
3. 본문의 근거 (객관적인 수치)
중국 D램 업체 CXMT가 저가 물량공세로 DDR4의 가격을 급락시켜 한국 메모리 반도체 시장에 큰 타격을 준 가운데 DDR5 16Gb D램을 16nm 공정으로 양산해 삼성전자와 SK 하이닉스와 비슷한 성능을 보여 우려를 일으키고 있다.
(1) 2023년 10월, 미국은 중국의 18㎚ 이하 D램 개발·양산을 저지하기 위해 기술·장비 수출 규제 시작
(2) CXMT는 메모리 반도체 시장에 DDR4를 30% 싸게 풀어 한국 반도체 기업에 타격을 줌
PC용 DDR4 D램 고정거래 가격 35.7% 급락 (개당 2.1달러(24년7월) -> 1.35달러(24년12월))
(2) CXMT가 DDR5 D램을 10나노미터 3세대(1z, 15.8~16.2㎚) 기술 개발 성공 : 현재 시점
(3) CXMT는 16㎚ 공정을 통해 정보를 저장하는 셀 면적을 18㎚ 공정 대비 20% 줄임
경쟁사 대비 높은 비트밀도 0.239Gb/㎟ (삼성전자 제품: 0.217Gb/㎟, SK하이닉스 제품: 0.213Gb/㎟)
*비트밀도(단위 면적당 저장 단위) : 성능의 핵심 척도
(4) 데이터 출하량 비교: DDR5 87Eb, DDR4 62 Eb -> CXMT가 DDR5 점유율 확대 예상
*Eb(엑사비트): 비트 단위 환산, 데이터 출하량 단위
4. 추가 조사할 내용 또는 결과 (기사의 근거를 통해 바뀐 수치는 무엇인가?)
위에서 잡은 추가조사 키워드 하나만을 조사해보세요
@ DDR4 vs DDR5
- DDR4: 저렴한 가격, 안정적 성능으로 높은 점유율을 차지
- DDR5: 비싼 가격, 고성능으로 낮은 점유율
(고속 데이터 전송, 스토리지 메모리 를 지원하여, 복잡한 컴퓨팅, 서버 분야에서 수요)
5. 적용할 점 (현직자 인터뷰 질문/자소서/면접/실무)
6. 나와의 연관성 (직무/산업/직장)
D램 구조 공부 -> 복기, RCAT(내일 복습하기)
https://m.blog.naver.com/durian0328/222231359526
[DRAM 1] DRAM의 구조와 동작원리
Q. DRAM의 기본원리와 소자특성에 대하여 설명하시오. Q. DRAM의 속도 개선 방안에 대해 설명해 ...
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'Recessed'는 기존의 planar한 채널 모양을 'U' 자형으로 오목하게 형성한 것
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출처
https://blog.naver.com/liltslyfe/222767996142
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채널공정에 대해서 이야기 중이다. 오늘은 RCAT 시간. 이전에 이야기한 FinFET 구조는 보통 AP ...
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S-RCAT: RCAT 파생기술로 sphere 구 형태로 channel length를 더욱 확장
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https://sshmyb.tistory.com/159 : RCAT
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오늘은 DRAM의 성능을 향상시키기 위한 DRAM 기술의 변천사와 차세대 DRAM에 대해서 알아보도록 하겠습니다. [질문 1]. 고대역폭 메모리 HBM에 대해서 설명해보세요. DRAM은 셀의 고집적화 되면서 Re-fre
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Planar -> FINTET -> GAA
https://blog.naver.com/mseysi/223213201776
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https://blog.naver.com/chainsmokers017/223055983379
DRAM MOSFET 구조 변화
. . . ① RCAT(Recessed Channel Array Transistor) 기존 planar 구조에서 gate 길이를 줄이면서 ...
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이 말이 참 좋다. 또 다른 문제가 엔지니어의 눈에 들어오기 시작한다.
-> 장난꾸러기 같은 느낌인데 멋진 모먼트. 문제가 눈에 보일 때마다 기발한 아이디어로 해결하는 모습. 엔지니어는 참 멋진 직업이다.
7. 연관 기사 링크
본문 참고